NVMFS6H848NLT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
可供量大可议
NVMFS6H848NLT1G
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFS6H848NLWF 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证， 可提供 PPAP 文件。 这些器件为无铅产品， 符合 RoHS 标准
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
库存
1
货期
现货
NVMFS6H848NLT1G参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVMFS6H848NLT1G概述
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFS6H848NLWF 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证， 可提供 PPAP 文件。 这些器件为无铅产品， 符合 RoHS 标准
NVMFS6H848NLT1G特性
暂无产品特性。
NVMFS6H848NLT1G应用领域
暂无应用领域。