NVMFS6D1N08HT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
可供量大可议
NVMFS6D1N08HT1G
特性：小尺寸（5x6mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFSW6D1N08H-可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍， 符合RoHS标准。 应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
库存
40
货期
现货
NVMFS6D1N08HT1G参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NVMFS6D1N08HT1G概述
特性：小尺寸（5x6mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFSW6D1N08H-可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍， 符合RoHS标准。 应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源
NVMFS6D1N08HT1G特性
暂无产品特性。
NVMFS6D1N08HT1G应用领域
暂无应用领域。