NVMFS6B05NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS6B05NT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 器件在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换与开关应用场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少功率耗散， 提升系统整体能效， 同时支持高频开关操作， 适合用于各类紧凑型、高密度的电子电路设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NVMFS6B05NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NVMFS6B05NT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 器件在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换与开关应用场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少功率耗散， 提升系统整体能效， 同时支持高频开关操作， 适合用于各类紧凑型、高密度的电子电路设计中。
NVMFS6B05NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS6B05NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。