NVMFS5C673NLT3G-HXY

该N沟道MOSFET具备65A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为60V， 导通电阻为8毫欧， 在栅源电压不超过20V的条件下稳定运行。 其低导通电阻有助于有效降低导通损耗， 提升整体效率。 适用于高电流密度的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景， 能够在有限空间内实现良好的热管理和电气性能。