NVMFS5C673NLAFT3G-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高稳定性的特点， 适用于多种复杂电路环境。 其主要参数包括：漏源击穿电压（VDSS）为60V， 最大连续漏极电流（ID）可达65A， 导通电阻（RDON）低至8mΩ， 能够有效减少功率损耗并提升导通效率。 器件结构优化， 响应速度快， 适合应用于高效电源转换、电池管理系统、负载开关控制以及各类中高功率电子设备中， 满足对性能与可靠性有较高要求的电路设计需求。