NVMFS5C670NLT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C670NLT3G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 适合用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机控制等场合。 其高电流承载能力与低阻特性相结合， 有助于提升系统热稳定性和整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
94
货期
现货
NVMFS5C670NLT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 94 |
NVMFS5C670NLT3G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 适合用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机控制等场合。 其高电流承载能力与低阻特性相结合， 有助于提升系统热稳定性和整体能效表现。
NVMFS5C670NLT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C670NLT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。