NVMFS5C670NLT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C670NLT1G-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升， 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及大电流开关电路。 器件在稳定工作条件下可支持频繁的开关操作， 满足多种高功率电子系统的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
NVMFS5C670NLT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
NVMFS5C670NLT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升， 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及大电流开关电路。 器件在稳定工作条件下可支持频繁的开关操作， 满足多种高功率电子系统的需求。
NVMFS5C670NLT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C670NLT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。