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NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY

该N沟道场效应管具有60V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至3.7mΩ, 具备优异的导通性能, 有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。 低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。 器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景, 可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

37

货期

现货

NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存37

NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY概述

该N沟道场效应管具有60V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至3.7mΩ, 具备优异的导通性能, 有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。 低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。 器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景, 可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。

NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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