NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
该N沟道场效应管具有60V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至3.7mΩ, 具备优异的导通性能, 有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。 低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。 器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景, 可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
37
货期
现货
NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY概述
该N沟道场效应管具有60V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至3.7mΩ, 具备优异的导通性能, 有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。 低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。 器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景, 可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。
NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
