NVMFS5C645NWFT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C645NWFT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.7毫欧。 如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗， 有助于提升整体能效并减少散热需求。 适用于高电流开关电源、高效DC-DC转换器、电池管理系统以及大功率电子负载等场景， 在需要高效率与高可靠性运行的电路中表现出色。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NVMFS5C645NWFT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NVMFS5C645NWFT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.7毫欧。 如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗， 有助于提升整体能效并减少散热需求。 适用于高电流开关电源、高效DC-DC转换器、电池管理系统以及大功率电子负载等场景， 在需要高效率与高可靠性运行的电路中表现出色。
NVMFS5C645NWFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C645NWFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。