NVMFS5C645NT1G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。 器件在高电流应用中表现出优异的导通性能与能效， 适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统整体效率， 同时支持紧凑型电路布局。