NVMFS5C628NT1G-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的额定漏极电流ID和60V的漏源击穿电压VDSS， 导通电阻RDON低至2.4mΩ， 表现出优异的导通特性和开关响应。 器件采用高密度封装， 支持大电流工作条件， 适用于各类高效电源系统、同步整流电路、储能变换装置及智能负载管理模块， 在高频开关和低损耗设计中展现出良好的稳定性和可靠性。