NVMFS5C450NAFT1G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 如此低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗， 适合在高电流、高效率要求的电源转换和开关应用中使用。 其电气特性支持快速开关操作， 适用于对热性能和能效有较高要求的电子系统， 如大功率电源模块、电池管理系统及高效电机控制等场景。