NVMFS5C426NWFT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C426NWFT1G-HXY
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V， 最大连续漏极电流（ID）达219A， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。 如此低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高电流、高频率的开关应用， 如电源管理模块、电机控制电路以及大功率直流转换系统等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
31
货期
现货
NVMFS5C426NWFT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
NVMFS5C426NWFT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V， 最大连续漏极电流（ID）达219A， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。 如此低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高电流、高频率的开关应用， 如电源管理模块、电机控制电路以及大功率直流转换系统等场合。
NVMFS5C426NWFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C426NWFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。