NVMFS5C426NWFET1G-HXY

该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧， 可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。 其超低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 适用于高效率、大电流的开关应用。 器件在高频操作下保持良好的开关特性， 适合用于电源管理、电机控制及高密度功率转换等场景， 满足对热性能与电气稳定性要求较高的设计需求。