NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。 其低导通电阻与高电流处理能力使其适用于高效率电源管理、大电流开关电路以及对热性能要求严苛的功率转换系统， 能够在高频操作下维持较低的功率损耗和温升。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。 其低导通电阻与高电流处理能力使其适用于高效率电源管理、大电流开关电路以及对热性能要求严苛的功率转换系统， 能够在高频操作下维持较低的功率损耗和温升。
NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。