NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升效率， 适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及直流-直流转换等电路中， 能够支持紧凑型设计并改善系统热性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
47
货期
现货
NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升效率， 适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及直流-直流转换等电路中， 能够支持紧凑型设计并改善系统热性能。
NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。