NVMFS5C426NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C426NT1G-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A， 漏源击穿电压（VDSS）为40V， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为20V。 凭借极低的导通电阻和高电流承载能力， 该器件适用于高效率、大电流的开关电源、电池管理系统以及高频功率转换电路， 在确保稳定运行的同时有效降低导通损耗与发热。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NVMFS5C426NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NVMFS5C426NT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A， 漏源击穿电压（VDSS）为40V， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为20V。 凭借极低的导通电阻和高电流承载能力， 该器件适用于高效率、大电流的开关电源、电池管理系统以及高频功率转换电路， 在确保稳定运行的同时有效降低导通损耗与发热。
NVMFS5C426NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C426NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。