NVMFS5C426NAFT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C426NAFT3G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换、电机驱动及高频率开关应用场景， 能够有效提升系统整体效率并减少热损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
NVMFS5C426NAFT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVMFS5C426NAFT3G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换、电机驱动及高频率开关应用场景， 能够有效提升系统整体效率并减少热损耗。
NVMFS5C426NAFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C426NAFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。