NVMFS5C426NAFT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS5C426NAFT1G-HXY
该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。 其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗， 提升整体能效。 适用于高电流、高频率运行的电源转换系统、电机控制电路及大功率电子设备中的开关应用， 在严苛电气条件下仍能维持稳定工作特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
NVMFS5C426NAFT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVMFS5C426NAFT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。 其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗， 提升整体能效。 适用于高电流、高频率运行的电源转换系统、电机控制电路及大功率电子设备中的开关应用， 在严苛电气条件下仍能维持稳定工作特性。
NVMFS5C426NAFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS5C426NAFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。