NVMFS5C410NWFAFT3G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NVMFS5C410NWFAFT3G
特性：小尺寸 (5×6mm)， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFS5C410NWF 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 AEC-Q101 认证， 可提供 PPAP 文件。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
58
货期
现货
NVMFS5C410NWFAFT3G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
NVMFS5C410NWFAFT3G概述
特性：小尺寸 (5×6mm)， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFS5C410NWF 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 AEC-Q101 认证， 可提供 PPAP 文件。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
NVMFS5C410NWFAFT3G特性
暂无产品特性。
NVMFS5C410NWFAFT3G应用领域
暂无应用领域。