NVMFS5C404NWFET1G
IC
DFNW-5(4.9x5.9)
可供量大可议
NVMFS5C404NWFET1G
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFS5C404NWF-可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFNW-5(4.9x5.9)
库存
5
货期
现货
NVMFS5C404NWFET1G参数
| 封装 | DFNW-5(4.9x5.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NVMFS5C404NWFET1G概述
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVMFS5C404NWF-可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVMFS5C404NWFET1G特性
暂无产品特性。
NVMFS5C404NWFET1G应用领域
暂无应用领域。