NVMFS5A160PLZWFT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NVMFS5A160PLZWFT1G
特性：小尺寸封装（5 x 6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 可降低传导损耗。 具有可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序文件。 无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
1
货期
现货
NVMFS5A160PLZWFT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVMFS5A160PLZWFT1G概述
特性：小尺寸封装（5 x 6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 可降低传导损耗。 具有可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序文件。 无铅且符合RoHS标准
NVMFS5A160PLZWFT1G特性
暂无产品特性。
NVMFS5A160PLZWFT1G应用领域
暂无应用领域。