NVMFS5113PLWFT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NVMFS5113PLWFT1G
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 可焊侧翼产品。 NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
38
货期
现货
NVMFS5113PLWFT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
NVMFS5113PLWFT1G概述
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 可焊侧翼产品。 NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)， 符合RoHS标准
NVMFS5113PLWFT1G特性
暂无产品特性。
NVMFS5113PLWFT1G应用领域
暂无应用领域。