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NVMFS5113PLT1G-VB
IC

DFN5x6-8

可供量大可议

NVMFS5113PLT1G-VB

DFN8(5X6); P—Channel沟道, -60V; -60A; RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=-1.5~-3.5V

品牌

VBsemi

封装

DFN5x6-8

库存

3

货期

现货

NVMFS5113PLT1G-VB参数

封装DFN5x6-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

NVMFS5113PLT1G-VB概述

DFN8(5X6); P—Channel沟道, -60V; -60A; RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=-1.5~-3.5V

NVMFS5113PLT1G-VB特性

暂无产品特性。

NVMFS5113PLT1G-VB应用领域

暂无应用领域。

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