NVMFS4C03NWFT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS4C03NWFT1G-HXY
这款N沟道场效应管具有30V漏源电压(VDSS)和150A的连续漏极电流(ID), 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至1.5mΩ, 有效降低导通损耗, 减少工作时的热量产生, 提升系统能效。 优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路, 如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。 器件具备良好的热稳定性和快速开关响应, 支持高频运行, 可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NVMFS4C03NWFT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NVMFS4C03NWFT1G-HXY概述
这款N沟道场效应管具有30V漏源电压(VDSS)和150A的连续漏极电流(ID), 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至1.5mΩ, 有效降低导通损耗, 减少工作时的热量产生, 提升系统能效。 优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路, 如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。 器件具备良好的热稳定性和快速开关响应, 支持高频运行, 可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。
NVMFS4C03NWFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS4C03NWFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
