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NVMFS4C03NWFT1G-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

NVMFS4C03NWFT1G-HXY

这款N沟道场效应管具有30V漏源电压(VDSS)和150A的连续漏极电流(ID), 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至1.5mΩ, 有效降低导通损耗, 减少工作时的热量产生, 提升系统能效。 优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路, 如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。 器件具备良好的热稳定性和快速开关响应, 支持高频运行, 可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

98

货期

现货

NVMFS4C03NWFT1G-HXY参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存98

NVMFS4C03NWFT1G-HXY概述

这款N沟道场效应管具有30V漏源电压(VDSS)和150A的连续漏极电流(ID), 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至1.5mΩ, 有效降低导通损耗, 减少工作时的热量产生, 提升系统能效。 优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路, 如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。 器件具备良好的热稳定性和快速开关响应, 支持高频运行, 可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。

NVMFS4C03NWFT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NVMFS4C03NWFT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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