NVMFS4C03NWFT1G
IC
SO-8-FL-5.8mm
可供量大可议
NVMFS4C03NWFT1G
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET， 采用 5x6mm 扁平引线封装， 具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。
品牌
onsemi
封装
SO-8-FL-5.8mm
库存
50
货期
现货
NVMFS4C03NWFT1G参数
| 封装 | SO-8-FL-5.8mm |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 77W |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NVMFS4C03NWFT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000218 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.071nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.673nF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:159A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NVMFS4C03NWFT1G概述
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET， 采用 5x6mm 扁平引线封装， 具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。
NVMFS4C03NWFT1G特性
- 小尺寸封装(5x6mm), 适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容, 可最大程度降低驱动损耗
- NVMFS4C03NWF
- 可焊侧翼选项, 便于增强光学检测
- 通过AEC-Q101认证, 具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR), 符合RoHS标准
NVMFS4C03NWFT1G应用领域
暂无应用领域。