NVMFS4C03NWFET1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFS4C03NWFET1G-HXY
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及仅1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)）， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现极低的导通损耗。 其超低阻抗特性显著减少功率耗散， 适用于对效率和热性能要求严苛的大电流开关场景， 如高性能电源转换、电机控制及高密度功率模块等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
NVMFS4C03NWFET1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
NVMFS4C03NWFET1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及仅1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)）， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现极低的导通损耗。 其超低阻抗特性显著减少功率耗散， 适用于对效率和热性能要求严苛的大电流开关场景， 如高性能电源转换、电机控制及高密度功率模块等应用。
NVMFS4C03NWFET1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFS4C03NWFET1G-HXY应用领域
暂无应用领域。