NVMFS024N06CT1G-HXY

本产品为N沟道场效应管（MOSFET）， 具有30A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于中功率开关与电源转换应用。 导通电阻（RDON）低至20mΩ， 有效降低导通损耗， 提升系统能效。 器件采用优化的结构设计， 具备良好的热稳定性和耐用性， 适用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动电路及高性能计算设备中的功率控制单元， 满足多样化电子系统对效率与可靠性的需求。