NVMFS016N10MCLT1G
IC
DFN-5(5x6)(SO-8FL)
可供量大可议
NVMFS016N10MCLT1G
特性：小尺寸（5×6mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR、无铍， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5x6)(SO-8FL)
库存
20
货期
现货
NVMFS016N10MCLT1G参数
| 封装 | DFN-5(5x6)(SO-8FL) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
NVMFS016N10MCLT1G概述
特性：小尺寸（5×6mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR、无铍， 符合RoHS标准
NVMFS016N10MCLT1G特性
暂无产品特性。
NVMFS016N10MCLT1G应用领域
暂无应用领域。