NVMFD6H852NLT1G
IC
DFN-8(4.9x5.9)
可供量大可议
NVMFD6H852NLT1G
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 可写边缘选项， 用于增强光学检查。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFN-8(4.9x5.9)
库存
1
货期
现货
NVMFD6H852NLT1G参数
| 封装 | DFN-8(4.9x5.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVMFD6H852NLT1G概述
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 可写边缘选项， 用于增强光学检查。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVMFD6H852NLT1G特性
暂无产品特性。
NVMFD6H852NLT1G应用领域
暂无应用领域。