NVMFD5C668NLWFT1G-HXY

该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和80A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻典型值为5.3mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升整体能效。 低RDON与高电流承载能力使其适用于高频率开关电源设计， 如同步整流、DC-DC电压转换模块及大功率负载驱动电路。 器件在高电流密度和有限散热条件下仍可保持稳定性能， 适合对空间布局和热管理有要求的高性能电子设备电源管理单元。