NVMFD5C650NLT1G
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
NVMFD5C650NLT1G
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以减少传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以减少驱动损耗。 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFN-8(5x6)
库存
89
货期
现货
NVMFD5C650NLT1G参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
NVMFD5C650NLT1G概述
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以减少传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以减少驱动损耗。 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVMFD5C650NLT1G特性
暂无产品特性。
NVMFD5C650NLT1G应用领域
暂无应用领域。