NVMFD5C478NLWFT1G
自营可供
IC
DFN-8(4.9x5.9)
NVMFD5C478NLWFT1G
适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET， 采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET， 符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。
品牌
onsemi
封装
DFN-8(4.9x5.9)
交期
现货
批次
—
NVMFD5C478NLWFT1G参数
| 封装 | DFN-8(4.9x5.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:40V 电流:29A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.1mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 420pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | NVMFD5C478NLWFT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000212 |
NVMFD5C478NLWFT1G概述
适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET， 采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET， 符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。
NVMFD5C478NLWFT1G特性
- 小尺寸封装(5 x 6 mm), 适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低电容, 以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准
NVMFD5C478NLWFT1G应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统（BMS）/储能、家庭自动化