NVMFD5873NLT1G-HXY

本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET）， 具有35A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于多种中高功率应用场合。 导通电阻（RDON）为11mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升整体效率。 采用双沟道结构设计， 具备良好的集成性与稳定性， 适合用于电源管理、开关电路、电机驱动及同步整流等场景， 在各类高效能电子设备中可实现可靠的功率控制与转换功能。