NVLJWD023N04CLTAG
IC
WDFNW-6(2.2x2.3)
可供量大可议
NVLJWD023N04CLTAG
特性：小尺寸， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFNW-6(2.2x2.3)
库存
25
货期
现货
NVLJWD023N04CLTAG参数
| 封装 | WDFNW-6(2.2x2.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
NVLJWD023N04CLTAG概述
特性：小尺寸， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼选项， 便于光学检测。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准
NVLJWD023N04CLTAG特性
暂无产品特性。
NVLJWD023N04CLTAG应用领域
暂无应用领域。