NVJD4401NT1G

汽车功率 MOSFET。 此双 N 沟道器件使用小占位封装 (2x2 mm) 和安森美半导体的领先平面工艺， 可减小占位， 提高能效。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET， 符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。