NVHL095N65S3HF-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
NVHL095N65S3HF-HXY
该N沟道场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至75mΩ, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景, 能够稳定应对较高的电压瞬变。 低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热, 提高整体能效。 该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块, 适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计, 为复杂电路提供可靠的开关控制能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
7
货期
现货
NVHL095N65S3HF-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
NVHL095N65S3HF-HXY概述
该N沟道场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至75mΩ, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景, 能够稳定应对较高的电压瞬变。 低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热, 提高整体能效。 该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块, 适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计, 为复杂电路提供可靠的开关控制能力。
NVHL095N65S3HF-HXY特性
暂无产品特性。
NVHL095N65S3HF-HXY应用领域
暂无应用领域。
