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NVHL095N65S3HF-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

NVHL095N65S3HF-HXY

该N沟道场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至75mΩ, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景, 能够稳定应对较高的电压瞬变。 低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热, 提高整体能效。 该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块, 适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计, 为复杂电路提供可靠的开关控制能力。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

7

货期

现货

NVHL095N65S3HF-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存7

NVHL095N65S3HF-HXY概述

该N沟道场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至75mΩ, 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景, 能够稳定应对较高的电压瞬变。 低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热, 提高整体能效。 该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块, 适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计, 为复杂电路提供可靠的开关控制能力。

NVHL095N65S3HF-HXY特性

暂无产品特性。

NVHL095N65S3HF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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