NVH4L050N65S3F-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为45mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件结合碳化硅材料特性， 在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。 其宽栅压范围增强了与不同驱动电路的适配能力， 同时在高温或严苛电气环境中保持良好的稳定性与可靠性。