NVH4L022N120M3S-HXY

本产品为N沟道增强型碳化硅场效应管（MOSFET）， 采用宽禁带半导体材料， 具备优异的高频与高温工作能力。 其漏极电流ID可达81A， 漏源击穿电压VDSS高达1200V， 导通电阻RDON低至21毫欧， 显著降低导通损耗， 提升系统效率。 器件适用于高频率开关电源、高效能量转换系统及高性能电力电子装置， 支持小型化与高效率的设计需求。