NVH4L022N120M3S
IC
TO-247-4L
可供量大可议
NVH4L022N120M3S
特性：典型RDS(tot) = 22 mΩ， VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 151 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 244 pF)。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无卤化物， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅。 应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
品牌
onsemi
封装
TO-247-4L
库存
1
货期
现货
NVH4L022N120M3S参数
| 封装 | TO-247-4L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVH4L022N120M3S概述
特性：典型RDS(tot) = 22 mΩ， VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 151 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 244 pF)。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无卤化物， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅。 应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
NVH4L022N120M3S特性
暂无产品特性。
NVH4L022N120M3S应用领域
暂无应用领域。