NVD6416ANT4G-VF01-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为100V， 支持20A连续漏极电流。 其导通电阻典型值为80毫欧， 有助于降低导通损耗并提升能效。 凭借低内阻特性， 该器件适用于开关电源、电机驱动及电池管理系统的功率开关级， 能够在高电流场景下实现稳定的电能控制与传输， 满足各类电子设备对高效功率转换的需求。