NVD6416ANLT4G-VF01
IC
TO-252(DPAK)
可供量大可议
NVD6416ANLT4G-VF01
特性：低导通电阻。 高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
TO-252(DPAK)
库存
46
货期
现货
NVD6416ANLT4G-VF01参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
NVD6416ANLT4G-VF01概述
特性：低导通电阻。 高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVD6416ANLT4G-VF01特性
暂无产品特性。
NVD6416ANLT4G-VF01应用领域
暂无应用领域。