NVD5C688NLT4G-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为30安培， 漏源击穿电压达60伏， 导通电阻仅为22毫欧。 低导通损耗特性使其在高效电源转换电路中表现优异， 适用于服务器供电模块、电池管理系统及大功率直流电机驱动等场景。 其紧凑封装设计利于提升电路板功率密度， 满足高性能电子设备对能效与散热的严苛要求。