NVD5C688NLT4G(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
NVD5C688NLT4G(UMW)
特性：VDS(V) = 60V。 ID = 17A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
2,960
货期
现货
NVD5C688NLT4G(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2960 |
NVD5C688NLT4G(UMW)概述
特性：VDS(V) = 60V。 ID = 17A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗
NVD5C688NLT4G(UMW)特性
暂无产品特性。
NVD5C688NLT4G(UMW)应用领域
暂无应用领域。