NVD5C478NT4G-HXY

该N沟道场效应管额定漏源电压为40V， 连续漏极电流达60A， 导通电阻典型值为7.7毫欧。 低导通阻抗有效降低大电流下的功率损耗与温升， 适用于服务器电源、高性能电池组管理及大功率直流变换器。 其参数特性支持高频开关操作， 能够在精密电子负载中提供稳定的功率切换与能效控制， 满足对热性能和电气稳定性有严格要求的应用场景。