NVD5C478NT4G
IC
TO-252(DPAK)
可供量大可议
NVD5C478NT4G
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低ΩG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
TO-252(DPAK)
库存
10
货期
现货
NVD5C478NT4G参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NVD5C478NT4G概述
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低ΩG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
NVD5C478NT4G特性
暂无产品特性。
NVD5C478NT4G应用领域
暂无应用领域。