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NVD5863NL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NVD5863NL-HXY

此场效应管为N型, 电流80A, 可适应较大功率需求。 电压60V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值6mR, 有效减少能量损耗。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

6

货期

现货

NVD5863NL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存6

NVD5863NL-HXY概述

此场效应管为N型, 电流80A, 可适应较大功率需求。 电压60V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值6mR, 有效减少能量损耗。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

NVD5863NL-HXY特性

暂无产品特性。

NVD5863NL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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