NVD4C05NT4G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3毫欧。 低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗， 提升系统效率并减少发热。 适用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动电路以及需要高开关频率和高电流承载能力的电子系统， 能够在持续高负载条件下保持稳定工作性能。