NVD4809NT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NVD4809NT4G-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。 在中高电流应用场景中， 其较低的导通电阻有助于有效抑制导通损耗， 提升整体能效。 适用于开关电源、电池供电系统及各类高效功率转换电路， 能够在高频操作下维持良好的热稳定性和开关特性， 满足对空间和效率有要求的电子设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
NVD4809NT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NVD4809NT4G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。 在中高电流应用场景中， 其较低的导通电阻有助于有效抑制导通损耗， 提升整体能效。 适用于开关电源、电池供电系统及各类高效功率转换电路， 能够在高频操作下维持良好的热稳定性和开关特性， 满足对空间和效率有要求的电子设计需求。
NVD4809NT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NVD4809NT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。