NVD360N65S3T4G
IC
DPAK
可供量大可议
NVD360N65S3T4G
特性：超低栅极电荷和低有效输出电容。 较低的品质因数（RDS(on)最大值 x Qg典型值和RDS(on)最大值 x Eoss）。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DPAK
库存
6
货期
现货
NVD360N65S3T4G参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
NVD360N65S3T4G概述
特性：超低栅极电荷和低有效输出电容。 较低的品质因数（RDS(on)最大值 x Qg典型值和RDS(on)最大值 x Eoss）。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVD360N65S3T4G特性
暂无产品特性。
NVD360N65S3T4G应用领域
暂无应用领域。